STB36NM60ND
Número de Producto del Fabricante:

STB36NM60ND

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STB36NM60ND-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

978 Pcs Nuevos Originales En Stock
12872923
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

STB36NM60ND Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
FDmesh™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2785 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STB36

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-13861-6
497-13861-1
497-13861-2

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IPB60R099CPAATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
700
NÚMERO DE PIEZA
IPB60R099CPAATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
4.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STB34NM60ND
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STB34NM60ND-DG
PRECIO UNITARIO
5.89
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
STH60N099DM9-2AG
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STH60N099DM9-2AG-DG
PRECIO UNITARIO
2.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPB60R099P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
39
NÚMERO DE PIEZA
IPB60R099P7ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPB60R125C6ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2357
NÚMERO DE PIEZA
IPB60R125C6ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
stmicroelectronics

STB80NF55-08T4

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STP6NM60N

MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220AB

nxp-semiconductors

BUK7C3R1-80EJ

MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7

vishay-siliconix

2N6661JAN02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39