STB35N65DM2
Número de Producto del Fabricante:

STB35N65DM2

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STB35N65DM2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventario:

12872154
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STB35N65DM2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STB35

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
-1138-STB35N65DM2CT
-1138-STB35N65DM2DKR
497-18244-1
497-18244-2
-1138-STB35N65DM2TR
497-18244-6

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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