Número de Producto del Fabricante:
STB12NM60N-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB12NM60N-1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12874313
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ENVIAR
STB12NM60N-1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
MDmesh™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
410mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
960 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
STB12N
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP11NM60ND
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STP11NM60ND-DG
PRECIO UNITARIO
1.81
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STP13NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
649
NÚMERO DE PIEZA
STP13NM60N-DG
PRECIO UNITARIO
2.01
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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