Número de Producto del Fabricante:
SCTWA20N120
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
SCTWA20N120-DG
Descripción:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
Inventario:
526 Pcs Nuevos Originales En Stock
12879918
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ENVIAR
SCTWA20N120 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
239mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA (Typ)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
HiP247™ Long Leads
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCTWA20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
-1138-SCTWA20N120
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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