Número de Producto del Fabricante:
SCT018H65G3AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
SCT018H65G3AG-DG
Descripción:
H2PAK-7
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 385W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventario:
13269556
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ENVIAR
SCT018H65G3AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
27mOhm @ 30A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.2V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
79.4 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2124 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
385W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-SCT018H65G3AGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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