Número de Producto del Fabricante:
S2M0040120D
Product Overview
Fabricante:
SMC Diode Solutions
Número de pieza:
S2M0040120D-DG
Descripción:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V Through Hole TO-247-3
Inventario:
221 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001582
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ENVIAR
S2M0040120D Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
SMC Diode Solutions
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
-
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
-
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
1655-S2M0040120D
-1765-S2M0040120D
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Certificación DIGI
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