Número de Producto del Fabricante:
2SC3599E
Product Overview
Fabricante:
Sanyo
Número de pieza:
2SC3599E-DG
Descripción:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 300 mA 500MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventario:
4405 Pcs Nuevos Originales En Stock
12941634
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ENVIAR
2SC3599E Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
300 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
120 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
600mV @ 7mA, 70mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 50mA, 10V
Potencia - Máx.
1.2 W
Frecuencia - Transición
500MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-225AA, TO-126-3
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-126
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
460
Otros nombres
ONSSNY2SC3599E
2156-2SC3599E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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