Número de Producto del Fabricante:
SCT4062KEC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT4062KEC11-DG
Descripción:
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W Through Hole TO-247N
Inventario:
4874 Pcs Nuevos Originales En Stock
12976114
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ENVIAR
SCT4062KEC11 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
81mOhm @ 12A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 6.45mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+21V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1498 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
115W
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247N
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCT4062
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
846-SCT4062KEC11
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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