Número de Producto del Fabricante:
RZF013P01TL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RZF013P01TL-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Inventario:
4924 Pcs Nuevos Originales En Stock
13524345
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ENVIAR
RZF013P01TL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TUMT3
Paquete / Caja
3-SMD, Flat Leads
Número de producto base
RZF013
Hoja de Datos y Documentos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RZF013P01TLCT
RZF013P01TLTR
RZF013P01TLDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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