Número de Producto del Fabricante:
RV8C010UNHZGG2CR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RV8C010UNHZGG2CR-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 1W Surface Mount DFN1010-3W
Inventario:
5842 Pcs Nuevos Originales En Stock
12948488
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ENVIAR
RV8C010UNHZGG2CR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
40 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010-3W
Paquete / Caja
3-XFDFN
Número de producto base
RV8C010
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
846-RV8C010UNHZGG2CRCT
846-RV8C010UNHZGG2CRDKR
846-RV8C010UNHZGG2CRTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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