Número de Producto del Fabricante:
RV2C002UNT2L
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RV2C002UNT2L-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount VML1006
Inventario:
27819 Pcs Nuevos Originales En Stock
13526587
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Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
K6Lm
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ENVIAR
RV2C002UNT2L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 100µA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
VML1006
Paquete / Caja
SC-101, SOT-883
Número de producto base
RV2C002
Hoja de Datos y Documentos
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
RV2C002UNT2LTR
RV2C002UNT2LCT
RV2C002UNT2LDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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