Número de Producto del Fabricante:
RT1A060APTR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RT1A060APTR-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventario:
56 Pcs Nuevos Originales En Stock
13524374
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ENVIAR
RT1A060APTR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7800 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
600mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSST
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
RT1A060
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RT1A060APTRDKR
RT1A060APTRCT
RT1A060APTRTR
RT1A060APTRDKR-ND
RT1A060APCT
RT1A060APTRCT-ND
RT1A060APTRTR-ND
RT1A060APDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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