RS6L090BGTB1

Número de Producto del Fabricante:

RS6L090BGTB1

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

RS6L090BGTB1-DG

Descripción:

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

Descripción Detallada:

N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventario:

2206 Pcs Nuevos Originales En Stock

12990010

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RS6L090BGTB1 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

ROHM Semiconductor

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

90A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

4.7mOhm @ 90A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

28 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1950 pF @ 30 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

3W (Ta), 73W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-HSOP

Paquete / Caja

8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

RS6L090BGTB1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

846-RS6L090BGTB1CT

846-RS6L090BGTB1DKR

846-RS6L090BGTB1TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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