Número de Producto del Fabricante:
RS3E180ATTB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RS3E180ATTB1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 18A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventario:
3328 Pcs Nuevos Originales En Stock
13526911
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ENVIAR
RS3E180ATTB1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7200 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
RS3E
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
RS3E180ATTB1DKR
RS3E180ATTB1CT
RS3E180ATTB1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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