Número de Producto del Fabricante:
RS1L180GNTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RS1L180GNTB-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
13527048
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ENVIAR
RS1L180GNTB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta), 68A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.6mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3230 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS1L
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
RS1L180GNTBDKR
RS1L180GNTBTR
RS1L180GNTBCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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