Número de Producto del Fabricante:
RQ7G080BGTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RQ7G080BGTCR-DG
Descripción:
NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventario:
2951 Pcs Nuevos Originales En Stock
12975192
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
RQ7G080BGTCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
530 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TSMT8
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
RQ7G080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-RQ7G080BGTCRTR
846-RQ7G080BGTCRCT
846-RQ7G080BGTCRDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
2N7002KWA-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-323
MCU30P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DPAK
2N7002KHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-23
