Número de Producto del Fabricante:
RQ3L050GNTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RQ3L050GNTB-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 14.8W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
14048 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525706
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ENVIAR
RQ3L050GNTB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
61mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
300 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
14.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
RQ3L050
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RQ3L050GNTBTR
RQ3L050GNTBDKR
RQ3L050GNTBCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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