Número de Producto del Fabricante:
RQ3E110AJTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RQ3E110AJTB-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
13988 Pcs Nuevos Originales En Stock
13527398
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ENVIAR
RQ3E110AJTB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta), 24A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.7mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
RQ3E110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RQ3E110AJTBDKR
RQ3E110AJTBCT
RQ3E110AJTBTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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