Número de Producto del Fabricante:
RH6L040BGTB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RH6L040BGTB1-DG
Descripción:
NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
24833 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997780
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
RH6L040BGTB1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.1mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1320 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
RH6L040
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-RH6L040BGTB1TR
846-RH6L040BGTB1DKR
846-RH6L040BGTB1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
RCJ331N25TL
250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
2SK4150TZ-E
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
RW4E045AJTCL1
NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
