Número de Producto del Fabricante:
RF4G100BGTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RF4G100BGTCR-DG
Descripción:
NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020-8S
Inventario:
2790 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997414
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
RF4G100BGTCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
530 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN2020-8S
Paquete / Caja
8-PowerUDFN
Número de producto base
RF4G100
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-RF4G100BGTCRDKR
846-RF4G100BGTCRTR
846-RF4G100BGTCRCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVH4L020N090SC1
SIC MOSFET 900V TO247-4L
PJMF390N65EC_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
PH6030DLVX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
