Número de Producto del Fabricante:
RF4E100AJTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RF4E100AJTCR-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8
Inventario:
11749 Pcs Nuevos Originales En Stock
13526084
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
RF4E100AJTCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.4mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1460 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
HUML2020L8
Paquete / Caja
8-PowerUDFN
Número de producto base
RF4E100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RF4E100AJTCRCT
RF4E100AJTCRTR
RF4E100AJTCRDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
R6020KNX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
R6012JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
