Número de Producto del Fabricante:
RDN050N20FU6
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RDN050N20FU6-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
Inventario:
13527298
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ENVIAR
RDN050N20FU6 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
720mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
292 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FN
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
RDN050
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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