Número de Producto del Fabricante:
RD3T100CNTL1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RD3T100CNTL1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
5000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13527105
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ENVIAR
RD3T100CNTL1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
182mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.25V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
RD3T100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
RD3T100CNTL1CT
RD3T100CNTL1DKR
RD3T100CNTL1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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