RD3P01BATTL1
Número de Producto del Fabricante:

RD3P01BATTL1

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

RD3P01BATTL1-DG

Descripción:

PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 10A (Ta) 25W (Ta) Surface Mount TO-252

Inventario:

2419 Pcs Nuevos Originales En Stock
13005655
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

RD3P01BATTL1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
240mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
660 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
RD3P01

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
RD3P01BAT

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-RD3P01BATTL1TR
846-RD3P01BATTL1CT
846-RD3P01BATTL1DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
micro-commercial-components

MSJB11N80A-TP

N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK

good-ark-semiconductor

GSFP0449

MOSFET, P-CH, SINGLE, -50.00A, -

diotec-semiconductor

DI2A7N70D1K

MOSFET DPAK N 700V 1.6OHM 150C

micro-commercial-components

MCU01N60A-TP

N-CHANNEL MOSFET, DPAK