Número de Producto del Fabricante:
R8006KNXC7G
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R8006KNXC7G-DG
Descripción:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 52W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
790 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996117
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
Simp
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R8006KNXC7G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R8006
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-R8006KNXC7GTR
846-R8006KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8006KNXC7GDKR-DG
846-R8006KNXC7GCT
846-R8006KNXC7GDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CSD18563Q5A-P
60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
CSD16323Q3T
PROTOTYPE
AOK065V65X2
MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247
