Número de Producto del Fabricante:
R8002KNXC7G
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R8002KNXC7G-DG
Descripción:
800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 1.6A (Ta) 28W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
948 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996693
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R8002KNXC7G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R8002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
846-R8002KNXC7GCT
846-R8002KNXC7GDKR
846-R8002KNXC7GDKR-DG
846-R8002KNXC7G
846-R8002KNXC7GCT-DG
846-R8002KNXC7GTR-DG
846-R8002KNXC7GTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SISS5110DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
PSMN070-200P,127
NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
SCT2450KEGC11
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
