Número de Producto del Fabricante:
R8001CND3FRATL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R8001CND3FRATL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
2437 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945898
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ENVIAR
R8001CND3FRATL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.7Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
R8001
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-R8001CND3FRATLCT
846-R8001CND3FRATLDKR
846-R8001CND3FRATLTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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