Número de Producto del Fabricante:
R6025JNXC7G
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6025JNXC7G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
1975 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525952
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R6025JNXC7G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
7V @ 4.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R6025
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
RDD020N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
RQ3L090GNTB
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
RRR040P03TL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
