Número de Producto del Fabricante:
R6022YNX3C16
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6022YNX3C16-DG
Descripción:
NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
998 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002811
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ENVIAR
R6022YNX3C16 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 1.8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
205W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-R6022YNX3C16
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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