Número de Producto del Fabricante:
R6014YNX3C16
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6014YNX3C16-DG
Descripción:
NCH 600V 14A, TO-220AB, POWER MO
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 14A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001132
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R6014YNX3C16 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
260mOhm @ 5A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 1.4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
890 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
R6014
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
846-R6014YNX3C16
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PJQ5453E-AU_R2_002A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5544-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5542V-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M