Número de Producto del Fabricante:
R6009JNXC7G
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6009JNXC7G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
1899 Pcs Nuevos Originales En Stock
13526601
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ENVIAR
R6009JNXC7G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
7V @ 1.38mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
645 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
53W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R6009
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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