EMH25T2R
Número de Producto del Fabricante:

EMH25T2R

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

EMH25T2R-DG

Descripción:

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Inventario:

93 Pcs Nuevos Originales En Stock
13514336
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ENVIAR

EMH25T2R Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
4.7kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Máx.
150mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
EMT6
Número de producto base
EMH25

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
EMH25T2R

Información Adicional

Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
846-EMH25T2RDKR
846-EMH25T2RTR
846-EMH25T2RCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
NSBC143ZDXV6T1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
15499
NÚMERO DE PIEZA
NSBC143ZDXV6T1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.05
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
RN4986FE,LF(CT
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
3745
NÚMERO DE PIEZA
RN4986FE,LF(CT-DG
PRECIO UNITARIO
0.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
RN4906FE,LF(CT
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
4000
NÚMERO DE PIEZA
RN4906FE,LF(CT-DG
PRECIO UNITARIO
0.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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