Número de Producto del Fabricante:
EMD30T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
EMD30T2R-DG
Descripción:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V, 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
12818177
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ENVIAR
EMD30T2R Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo de transistor
1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
200mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V, 30V
Resistencia - Base (R1)
10kOhms, 1kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
10kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
260MHz
Potencia - Máx.
150mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
EMT6
Número de producto base
EMD30
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
846-EMD30T2RTR
EMD30T2RCT
EMD30T2R-DG
EMD30T2RTR
EMD30T2RDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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