Número de Producto del Fabricante:
UPA2815T1S-E2-AT
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
UPA2815T1S-E2-AT-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 21A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Inventario:
10000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12858118
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ENVIAR
UPA2815T1S-E2-AT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1760 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HWSON (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
UPA2815
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
-1161-UPA2815T1S-E2-ATCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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