Número de Producto del Fabricante:

RQA0002DNSTB-E

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Número de pieza:

RQA0002DNSTB-E-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON

Descripción Detallada:

N-Channel 16 V 3.8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount 2-HWSON (5x4)

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12857265

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

RQA0002DNSTB-E Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Renesas Electronics Corporation

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

16 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

3.8A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

-

rds activados (máx.) @ id, vgs

-

vgs(th) (máx.) @ id

750mV @ 1mA

Vgs (máx.)

±5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

102 pF @ 0 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

15W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150°C

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

2-HWSON (5x4)

Paquete / Caja

2-DFN Exposed Pad

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

RQA0002DNSTB-E-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

2,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

onsemi

NDB6060

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

onsemi

NTD4806NAT4G

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK

STTFS010N10MCL

PTNG 100V LL

onsemi

NVMFS5C460NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN