Número de Producto del Fabricante:
NP80N055MHE-S18-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
NP80N055MHE-S18-AY-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12860198
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ENVIAR
NP80N055MHE-S18-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP80NF55-08
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
48
NÚMERO DE PIEZA
STP80NF55-08-DG
PRECIO UNITARIO
1.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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