NP180N04TUJ-E1-AY
Número de Producto del Fabricante:

NP180N04TUJ-E1-AY

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Número de pieza:

NP180N04TUJ-E1-AY-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
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NP180N04TUJ-E1-AY Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 348W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
NP180N04TUJ

Información Adicional

Paquete Estándar
800

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IPB180N04S4H0ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1585
NÚMERO DE PIEZA
IPB180N04S4H0ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.78
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPB180N04S400ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3979
NÚMERO DE PIEZA
IPB180N04S400ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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cr
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