Número de Producto del Fabricante:
AR1L3N-AZ
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
AR1L3N-AZ-DG
Descripción:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 60 V 1 A 750 mW Through Hole TO-92
Inventario:
6446 Pcs Nuevos Originales En Stock
12931830
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ENVIAR
AR1L3N-AZ Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
1 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
60 V
Resistencia - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
10 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
150 @ 100mA, 2V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
-
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Potencia - Máx.
750 mW
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92
Información Adicional
Paquete Estándar
738
Otros nombres
RENRNSAR1L3N-AZ
2156-AR1L3N-AZ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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