Número de Producto del Fabricante:
2SK4150TZ-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
2SK4150TZ-E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 400MA TO92
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 400mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventario:
12854593
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ENVIAR
2SK4150TZ-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.7Ohm @ 200mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.7 nC @ 4 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
80 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DN2535N5-G
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
199
NÚMERO DE PIEZA
DN2535N5-G-DG
PRECIO UNITARIO
1.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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