2SK2315TYTR-E

Número de Producto del Fabricante:

2SK2315TYTR-E

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Número de pieza:

2SK2315TYTR-E-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 2A UPAK

Descripción Detallada:

N-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UPAK

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12858298

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2SK2315TYTR-E Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Renesas Electronics Corporation

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

2A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

3V, 4V

rds activados (máx.) @ id, vgs

450mOhm @ 1A, 4V

vgs(th) (máx.) @ id

-

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

173 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

UPAK

Paquete / Caja

TO-243AA

Número de producto base

2SK2315

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

2SK2315TYTR-E-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

1,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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