2SK2221-E

Número de Producto del Fabricante:

2SK2221-E

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Número de pieza:

2SK2221-E-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

Descripción Detallada:

N-Channel 200 V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12858514

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

2SK2221-E Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Renesas Electronics Corporation

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

8A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

-

rds activados (máx.) @ id, vgs

-

vgs(th) (máx.) @ id

-

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

600 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

100W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-3P

Paquete / Caja

TO-3P-3, SC-65-3

Número de producto base

2SK2221

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

onsemi

NTGS4141NT1G

MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

renesas-electronics-america

RJK0456DPB-00#J5

MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

onsemi

NTMFS4C10NT1G-001

MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN

vishay-siliconix

IRF610SPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK