Número de Producto del Fabricante:
2SK1058-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
2SK1058-E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12852973
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ENVIAR
2SK1058-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
160 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
2SK1058
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDA18N50
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1564
NÚMERO DE PIEZA
FDA18N50-DG
PRECIO UNITARIO
1.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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