Número de Producto del Fabricante:
2SJ649-AZ
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
2SJ649-AZ-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 20A TO220
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventario:
12855075
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ENVIAR
2SJ649-AZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
48mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220 Isolated Tab
Paquete / Caja
TO-220-3 Isolated Tab
Número de producto base
2SJ649
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTP28P065T
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTP28P065T-DG
PRECIO UNITARIO
1.56
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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