Número de Producto del Fabricante:
2SJ542-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
2SJ542-E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 18A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 18A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
1523 Pcs Nuevos Originales En Stock
12942923
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ENVIAR
2SJ542-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
125
Otros nombres
RENRNS2SJ542-E
2156-2SJ542-E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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