PJW1NA60A_R2_00001
Número de Producto del Fabricante:

PJW1NA60A_R2_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

Número de pieza:

PJW1NA60A_R2_00001-DG

Descripción:

600V N-CHANNEL MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 400mA (Ta) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223

Inventario:

12973626
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

PJW1NA60A_R2_00001 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.9Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
148 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
PJW1NA60A

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
3757-PJW1NA60A_R2_00001DKR
3757-PJW1NA60A_R2_00001CT
3757-PJW1NA60A_R2_00001TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
STN1HNK60
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
45248
NÚMERO DE PIEZA
STN1HNK60-DG
PRECIO UNITARIO
0.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
panjit

PJL9407_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ2408_R1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SUD15N15-95-BE3

MOSFET N-CH 150V 15A DPAK

infineon-technologies

IPTG025N10NM5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOG-8