Número de Producto del Fabricante:
PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Product Overview
Fabricante:
Panjit International Inc.
Número de pieza:
PJQ4476AP-AU_R2_000A1-DG
Descripción:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 6.3A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Inventario:
4898 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974361
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
PJQ4476AP-AU_R2_000A1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.3A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1519 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 62W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN3333-8
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
PJQ4476
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1TR
3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1DKR
3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PJL9415_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
EPC7014UBC
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
PJD3NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
