Número de Producto del Fabricante:
PJQ1902_R1_00001
Product Overview
Fabricante:
Panjit International Inc.
Número de pieza:
PJQ1902_R1_00001-DG
Descripción:
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 500mA (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 3-DFN (0.6x1)
Inventario:
12970138
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ENVIAR
PJQ1902_R1_00001 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.87 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
34 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
3-DFN (0.6x1)
Paquete / Caja
3-UFDFN
Número de producto base
PJQ1902
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
3757-PJQ1902_R1_00001DKR
3757-PJQ1902_R1_00001TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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