PJP60R190E_T0_00001
Número de Producto del Fabricante:

PJP60R190E_T0_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

Número de pieza:

PJP60R190E_T0_00001-DG

Descripción:

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2.1A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta), 231W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

12972149
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

PJP60R190E_T0_00001 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.1A (Ta), 20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
196mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1421 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 231W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
PJP60R

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
3757-PJP60R190E_T0_00001

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
panjit

PJQ4404P-AU_R2_000A1

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

onsemi

FDN5630-G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

panjit

PJQ5444-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD25N03_L2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M