PJP2NA90_T0_00001
Número de Producto del Fabricante:

PJP2NA90_T0_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

Número de pieza:

PJP2NA90_T0_00001-DG

Descripción:

900V N-CHANNEL MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 2A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
12970311
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PJP2NA90_T0_00001 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
396 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
PJP2

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
3757-PJP2NA90_T0_00001

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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