PJMD990N65EC_L2_00001
Número de Producto del Fabricante:

PJMD990N65EC_L2_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

Número de pieza:

PJMD990N65EC_L2_00001-DG

Descripción:

650V SUPER JUNCITON MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 47.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

6000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974611
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PJMD990N65EC_L2_00001 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
990mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
306 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
47.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
PJMD990

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
6,000
Otros nombres
3757-PJMD990N65EC_L2_00001CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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